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IBM和三星宣布了半导体设计方面的一项新进展，他们称这将显著延长手机电池寿命。这两家公司的发现被称为垂直输运场效应晶体管(简称VTFET)，是一种垂直而不是水平叠加晶体管的新方法。
由于晶体管是垂直于芯片表面构建的，因此电流将以上下流动模式运行，而不是左右流动模式运行。与FinFET的设计相比，VTFET“有潜力减少85%的能源使用”，IBM报告说，这为未来的改进打开了大门，比如“手机电池可以在不充电的情况下持续一周以上”，而不是仅仅几天。
IBM和三星还表示，全球芯片短缺是推进半导体研发的动力。IBM研究院混合云和系统副总裁Mukesh Khare博士表示:“今天的技术声明是关于挑战传统，并重新思考我们如何继续推进社会，提供新的创新，以改善生活、业务和减少我们的环境影响。考虑到该行业目前在多个方面面临的限制，IBM和三星正在展示我们在半导体设计方面的联合创新的承诺，并共同追求我们所说的‘硬技术’。”
这种新设计将有助于芯片设计师在未来几年里尝试在给定的空间内安装更多的晶体管，并有助于减少加密挖掘和数据加密等能源密集型过程的碳足迹。